Microchip Technology MXLPLAD7.5KP33CAe3

包装/外壳

Mini-PLAD-1

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

Mini-PLAD

RoHS

Details

Breakdown Voltage / V

36.7 V

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

7.5 kW

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Ipp - Peak Pulse Current

141 A

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

2.5 W

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Base Product Number

PLAD7.5

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Moisture Sensitivity Levels

1

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MXLPLAD7.5KP33CAE3

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.6

系列

MA

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

10 uA

终端样式

SMD/SMT

工作电压

33 V

极性

双向

通道数量

1 Channel

电源线保护

无

电压 - 击穿

36.7V

功率 - 脉冲峰值

7500W (7.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

141A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

53.3V

箝位电压

53.3 V

电压 - 反向断态（典型值）

33V

双向通道

1

电容@频率

-