Microchip Technology MXUPTB8e3

包装/外壳

DO-216AA-2

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

Powermite 1 (DO216-AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

RoHS

Details

Breakdown Voltage / V

9 V

Ipp - Peak Pulse Current

10.9 A

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Base Product Number

UPTB8

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

R-PDSO-G1

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MXUPTB8E3

Power Dissipation (Max)

2.5 W

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.46

Part Package Code

DO-216AA

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

应用

通用型

附加功能

低漏电流

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

2 uA

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-G1

资历状况

不合格

工作电压

8 V

极性

双向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ANODE

电源线保护

无

电压 - 击穿

9V

功率 - 脉冲峰值

1000W (1kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

10.9A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

13.7V

箝位电压

13.7 V

电压 - 反向断态（典型值）

8V

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

8 V

JEDEC-95代码

DO-216AA

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

150 W

击穿电压-最小值

9 V