Microchip Technology SST25VF020-20-4C-SAE
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SST25VF020-20-4C-SAE
1610-SST25VF020-20-4C-SAE
存储器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MICROCHIP - SST25VF020-20-4C-SAE - FLASH MEMORY, 2 MBIT, 20 MHZ, 8-SOIC
--最小包装量--
SST25VF020-20-4C-SAE详情
Microchip Technology SST25VF020-20-4C-SAE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
7 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
引脚数
8
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tube
系列
SST25
已出版
2000
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
8
ECCN 代码
3A991.B.1.A
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
1.27mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
SST25VF020
引脚数量
8
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.7V
界面
SPI, Serial
内存大小
2Mb 256K x 8
电源电流
10mA
时钟频率
20MHz
访问时间
23 ns
内存格式
FLASH
内存接口
SPI
数据总线宽度
8b
组织结构
2MX1
写入周期时间 - 字符、页面
20μs
地址总线宽度
18b
密度
2 Mb
待机电流-最大值
0.000015A
同步/异步
Synchronous
字长
8b
编程电压
2.7V
串行总线类型
SPI
耐力
100000 Write/Erase Cycles
数据保持时间
100
写入保护
HARDWARE/SOFTWARE
高度
1.5mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SST25VF020-20-4C-SAE拓展信息
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