Microchip Technology SST25VF080B-80-4I-S2AE
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SST25VF080B-80-4I-S2AE
1610-SST25VF080B-80-4I-S2AE
存储器
8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)
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FLASH MEMORY, 8 MBIT, 80 MHZ, 8-SOIC
--最小包装量--
SST25VF080B-80-4I-S2AE详情
Microchip Technology SST25VF080B-80-4I-S2AE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)
引脚数
8
Memory Types
Non-Volatile
系列
SST25
已出版
2016
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
8
ECCN 代码
3A991.B.1.A
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
1.27mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
SST25VF080B
引脚数量
8
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.7V
界面
SPI, Serial
内存大小
8Mb 1M x 8
电源电流
20mA
时钟频率
80MHz
访问时间
6 ns
内存格式
FLASH
内存接口
SPI
数据总线宽度
8b
写入周期时间 - 字符、页面
10μs
地址总线宽度
1b
密度
8 Mb
待机电流-最大值
0.00002A
同步/异步
Synchronous
字长
8b
编程电压
2.7V
串行总线类型
SPI
耐力
100000 Write/Erase Cycles
数据保持时间
100
写入保护
HARDWARE/SOFTWARE
宽度
5.4mm
长度
5.4mm
高度
1.91mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SST25VF080B-80-4I-S2AE拓展信息
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