Microchip Technology UZ756

包装/外壳

A, Axial

安装类型

通孔

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

A, Axial

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Impedance (Max) (Zzt)

70 Ohms

Product Status

活跃

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

N

Schedule B

8541100050, 8541100050/8541100050, 8541100050/8541100050/8541100050, 8541100050/8541100050/8541100050/8541100050

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

56 V

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

UZ756

Power Dissipation (Max)

3 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

8.76

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

-

包装

Bulk

容差

±5%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

冶金结合

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

最大功率耗散

3 W

技术

ZENER

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

1 μA @ 42.6 V

功率耗散

3 W

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

3 W

最大反向漏电电流

1 µA

测试电流

10 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

56 V

齐纳电压

56 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

5%

工作测试电流

10 mA

电压允差

5 %

产品类别

齐纳二极管

辐射硬化

无