Microchip Technology Inc PLAD30KP85CAE3/TR

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROCHIP TECHNOLOGY INC

Package Description

S-PSSO-G1

Breakdown Voltage-Nom

12.35 V

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

SQUARE

Package Style

小概要

Power Dissipation (Max)

2.5 W

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

S-PSSO-G1

资历状况

不合格

极性

BIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

Rep Pk反向电压-最大值

85 V

最大非代表峰值转速功率Dis

30000 W

击穿电压-最小值

11.1 V

最大箝位电压

137 V

击穿电压-最大值

13.6 V