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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.904674
10
¥7.457244
100
¥7.035131
500
¥6.636916
1000
¥6.261245
Micro Commercial Co SIL08N03-TP
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- 对比
SIL08N03-TP
1603-SIL08N03-TP
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6
大陆
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N-CHANNEL MOSFET, SOT23-6L PACKA
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SIL08N03-TP详情
Micro Commercial Co SIL08N03-TP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.6W
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
14m Ω @ 8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
900pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8A
漏极-源极导通最大电阻
0.016Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
SIL08N03-TP拓展信息
Micro Commercial Co
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