参数名
参数值
参数名
参数值
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
供应商器件包装
SOT-23
材料
Metal
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Pitch thread
1.41
Surface protection
Untreated
Glass-fibre reinforced
无
Thread length
6.5
Degree of protection (IP)
IP68
Explosion-tested version
无
Suitable for cable diameter
9 - 13.5
With locknut
无
Thread type
PG
With strain relief
有
Nominal thread size metric/PG
16
Wrench width
24
Material quality
Stainless steel V2A
Bend radius protection/trumpet flare
无
Shock resistant
有
Model
Straight
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
Base Product Number
2SC1623
厂商
Micro Commercial Co
Product Status
活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Manufacturer
Micro Commercial Components (MCC)
Brand
Micro Commercial Components (MCC)
RoHS
Details
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
10
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
250 MHz
Manufacturer Part Number
2SC1623-L7-TP
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS CORP
Risk Rank
5.15
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Pd - Power Dissipation
200 mW
Transistor Polarity
NPN
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
135
Collector-Emitter Saturation Voltage
150 mV
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Gain Bandwidth Product fT
250 MHz
Maximum DC Collector Current
100 mA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
包装
切割胶带
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
200 mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
135 @ 1mA, 6V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 10mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
频率转换
250MHz
集电极基极电压(VCBO)
60 V
最大耗散功率(Abs)
0.2 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
300
集电极-发射器电压-最大值
50 V
VCEsat-最大值
0.3 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT