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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 BD882HY-TP
BD882HY-TP
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Micro Commercial Components (MCC) BD882HY-TP

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型号

BD882HY-TP

品牌

Micro Commercial Components (MCC)

utmel 编号

1603-BD882HY-TP

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-243AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT NPN PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTORS

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BD882HY-TP Micro Commercial Components (MCC) Bipolar Transistors - BJT NPN PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTORS

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BD882HY-TP详情

技术参数

Micro Commercial Components (MCC) BD882HY-TP重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-243AA

  • 供应商器件包装

    SOT-89

  • RoHS

    Details

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1000

  • Unit Weight

    0.001587 oz

  • Package

    Bulk

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    3 A

  • Base Product Number

    BD882

  • 厂商

    Micro Commercial Co

  • Product Status

    活跃

  • Emitter-Base Voltage

    6(V)

  • Operating Temperature Classification

    Military

  • Package Type

    SOT-89

  • Transistor Polarity

    NPN

  • Collector-Base Voltage

    70(V)

  • Category

    双极电源

  • Operating Temp Range

    -55C to 150C

  • Collector Current (DC)

    3(A)

  • Number of Elements

    1

  • Rad Hardened

    无

  • DC Current Gain

    160

  • Mounting

    表面贴装

  • Package Description

    ,

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Reflow Temperature-Max (s)

    10

  • Rohs Code

    有

  • Manufacturer Part Number

    BD882HY-TP

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    MICRO COMMERCIAL COMPONENTS CORP

  • Risk Rank

    1.66

  • 系列

    BD882

  • 包装

    切割胶带

  • 操作温度

    150°C (TJ)

  • JESD-609代码

    e3

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 频率

    50(MHz)

  • 引脚数量

    3 +Tab

  • 配置

    Single

  • 功率耗散

    0.5(W)

  • 输出功率

    Not Required(W)

  • 功率 - 最大

    500 mW

  • 晶体管类型

    NPN

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    160 @ 1A, 2V

  • 最大集极截止电流

    1µA (ICBO)

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    500mV @ 200mA, 2A

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    70 V

  • 频率转换

    50MHz

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