EDE2108ABSE-6E-E详情
Micron EDE2108ABSE-6E-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
68
Manufacturer Part Number
EDE2108ABSE-6E-E
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ELPIDA MEMORY INC
Part Package Code
BGA
Package Description
TFBGA, BGA68,9X19,32
Risk Rank
5.82
Access Time-Max
0.45 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
333 MHz
Number of Words
268435456 words
Number of Words Code
256000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TFBGA
Package Equivalence Code
BGA68,9X19,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
68
JESD-30代码
R-PBGA-B68
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.8 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.275 mA
组织结构
256MX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.015 A
记忆密度
2147483648 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
4,8
交错突发长度
4,8
访问模式
多库页面突发
自我刷新
YES
长度
19 mm
宽度
10.2 mm
EDE2108ABSE-6E-E拓展信息
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron








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