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技术文档
型号
EDF8164A1MA-GD-F-R
品牌
Micron
utmel 编号
1616-EDF8164A1MA-GD-F-R
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
DDR DRAM, 128MX64, CMOS, PBGA253, FBGA-253
起订量
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EDF8164A1MA-GD-F-R详情
技术参数
Micron EDF8164A1MA-GD-F-R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
253
Package Description
VFBGA,
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
128000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
Number of Words
134217728 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.2 V
Package Code
VFBGA
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.8
附加功能
AUTO/SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOMINAL SUPPLY
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
S-PBGA-B253
电源电压-最大值(Vsup)
1.3 V
电源电压-最小值(Vsup)
1.14 V
端口的数量
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
128MX64
座位高度-最大
0.9 mm
内存宽度
64
记忆密度
8
内存IC类型
DDR DRAM
访问模式
单库页面突发
自我刷新
宽度
12.5 mm
长度
EDF8164A1MA-GD-F-R拓展信息
公司资质
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