EDJ1108DBSE-GN-F
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Micron EDJ1108DBSE-GN-F

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型号

EDJ1108DBSE-GN-F

品牌

Micron

utmel 编号

1616-EDJ1108DBSE-GN-F

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

EDJ1108DBSE-GN-F datasheet pdf and Integrated Circuits (ICs) product details from Micron stock available at utmel

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EDJ1108DBSE-GN-F详情

Micron EDJ1108DBSE-GN-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    78

  • Manufacturer Part Number

    EDJ1108DBSE-GN-F

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    ELPIDA MEMORY INC

  • Part Package Code

    BGA

  • Package Description

    TFBGA, BGA78,9X13,32

  • Risk Rank

    5.83

  • Access Time-Max

    0.225 ns

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    800 MHz

  • Number of Words

    134217728 words

  • Number of Words Code

    128000000

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    TFBGA

  • Package Equivalence Code

    BGA78,9X13,32

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.5 V

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • JESD-609代码

    e1

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.32

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    78

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B78

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.575 V

  • 电源

    1.5 V

  • 温度等级

    OTHER

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.425 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.35 mA

  • 组织结构

    128MX8

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.17 mm

  • 内存宽度

    8

  • 记忆密度

    1073741824 bit

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 刷新周期

    8192

  • 顺序突发长度

    4,8

  • 交错突发长度

    4,8

  • 访问模式

    多库页面突发

  • 自我刷新

    YES

  • 长度

    11.5 mm

  • 宽度

    8 mm

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EDJ1108DBSE-GN-F拓展信息

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