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MT47H512M8THM-3:A

MT47H512M8THM-3:A

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Micron MT47H512M8THM-3:A

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对比

型号

MT47H512M8THM-3:A

品牌

utmel 编号

1616-MT47H512M8THM-3:A

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA63,

起订量

1最小包装量--

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MT47H512M8THM-3:A

MT47H512M8THM-3:A Micron DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA63,

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MT47H512M8THM-3:A详情

技术参数

Micron MT47H512M8THM-3:A重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

63
Package Description

FBGA, BGA63,9X11,32
Package Style

GRID ARRAY, FINE PITCH
Number of Words Code

512000000
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code

BGA63,9X11,32
Operating Temperature-Max

85 °C
Rohs Code

有
Manufacturer Part Number

MT47H512M8THM-3:A
Number of Words

536870912 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V
Package Code

FBGA
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank

5.82
子类别

DRAMs
技术

CMOS
端子位置

BOTTOM
终端形式

BALL
端子间距

0.8 mm
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PBGA-B63
资历状况

不合格
电源

1.8 V
温度等级

OTHER
电源电流-最大值

0.353 mA
组织结构

512MX8
输出特性

3-STATE
内存宽度

8
待机电流-最大值

0.016 A
记忆密度

4294967296 bit
I/O类型

COMMON
内存IC类型

DDR DRAM
刷新周期

8192

0个相似型号

MT47H512M8THM-3:A拓展信息

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