Micron MT47H64M16HR-25E:G

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

84

终端数量

84

RoHS

Compliant

Part Package Code

BGA

Risk Rank

7.73

Ihs Manufacturer

MICRON TECHNOLOGY INC

Part Life Cycle Code

Obsolete

Manufacturer

Micron Technology Inc

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

TFBGA

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Number of Words

67108864 words

Clock Frequency-Max (fCLK)

400 MHz

Manufacturer Part Number

MT47H64M16HR-25E:G

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

85 °C

Access Time-Max

0.4 ns

Reflow Temperature-Max (s)

30

Package Equivalence Code

BGA84,9X15,32

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Words Code

64000000

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Package Description

TFBGA, BGA84,9X15,32

JESD-609代码

e1

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

0 °C

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

HTS代码

8542.32.00.32

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

引脚数量

84

JESD-30代码

R-PBGA-B84

资历状况

不合格

工作电源电压

1.8 V

电源电压-最大值(Vsup)

1.9 V

电源

1.8 V

温度等级

OTHER

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

最大电源电压

1.9 V

最小电源电压

1.7 V

端口的数量

1

电源电流

320 mA

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.44 mA

访问时间

400 ps

组织结构

64MX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

地址总线宽度

16 b

密度

1 Gb

待机电流-最大值

0.007 A

记忆密度

1073741824 bit

最高频率

800 MHz

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

4,8

交错突发长度

4,8

访问模式

多库页面突发

自我刷新

YES

长度

12.5 mm

宽度

8 mm

达到SVHC

unknown

无铅

无铅