Micron MT54V512H18EF-10

安装类型

表面贴装

包装/外壳

165-TBGA

表面安装

YES

供应商器件包装

165-FBGA (13x15)

终端数量

165

Package

Bulk

Base Product Number

MT54V512

厂商

Micron Technology Inc.

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Access Time-Max

3 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Manufacturer Part Number

MT54V512H18EF-10

Number of Words

524288 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Package Code

TBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.79

Part Package Code

BGA

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

QDR™

JESD-609代码

e1

端子表面处理

锡银铜

附加功能

流水线结构

技术

SRAM - Quad Port, Synchronous

电压 - 供电

2.4V ~ 2.6V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

165

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

COMMERCIAL

电源电压-最大值(Vsup)

2.6 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.4 V

内存大小

9Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

100 MHz

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

512KX18

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

18

写入周期时间 - 字符、页面

-

记忆密度

9437184 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

QDR SRAM

组织的记忆

512K x 18

宽度

13 mm

长度

15 mm