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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥120.831494
10
¥113.991976
100
¥107.539596
500
¥101.452452
1000
¥95.709862
型号
MT54V512H18EF-6
品牌
Micron
utmel 编号
1616-MT54V512H18EF-6
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
QDR SRAM, 512KX18, 2.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
起订量
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MT54V512H18EF-6详情
技术参数
Micron MT54V512H18EF-6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
165
RoHS
Compliant
Package
Bulk
厂商
Micron Technology Inc.
Product Status
活跃
Package Description
13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Access Time-Max
2.5 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Manufacturer Part Number
Number of Words
524288 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
TBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.79
Part Package Code
BGA
系列
*
JESD-609代码
e1
端子表面处理
锡银铜
附加功能
流水线结构
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
端子间距
1 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
2.6 V
温度等级
电源电压-最小值(Vsup)
2.4 V
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
512KX18
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
18
记忆密度
9437184 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
QDR SRAM
宽度
13 mm
长度
15 mm
MT54V512H18EF-6拓展信息
公司资质
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