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技术文档
型号
MT57V512H36AF-7.5
品牌
Micron
utmel 编号
1616-MT57V512H36AF-7.5
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
DDR SRAM, 512KX36, 3.6ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
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MT57V512H36AF-7.5详情
技术参数
Micron MT57V512H36AF-7.5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
165
Package
Bulk
厂商
Micron Technology Inc.
Product Status
活跃
Package Description
13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA165,11X15,40
Access Time-Max
3.6 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Clock Frequency-Max (fCLK)
133 MHz
Number of Words
524288 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
TBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.62
Part Package Code
BGA
系列
*
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.6 V
电源
1.5/1.8,2.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.4 V
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
512KX36
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
36
记忆密度
18874368 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR SRAM
待机电压-最小值
宽度
13 mm
长度
15 mm
MT57V512H36AF-7.5拓展信息
公司资质
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