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技术文档
型号
MT58L512L18PF-7.5
品牌
Micron
utmel 编号
1616-MT58L512L18PF-7.5
商品类别
无类别的
封装
165-TBGA
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Cache SRAM, 512KX18, 4ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165
起订量
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MT58L512L18PF-7.5详情
技术参数
Micron MT58L512L18PF-7.5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
表面贴装
包装/外壳
表面安装
YES
供应商器件包装
165-FBGA (13x15)
终端数量
165
RoHS
Compliant
Package
Bulk
Base Product Number
MT58L512L18
厂商
Micron Technology Inc.
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Package Description
13 X 15 MM, FBGA-165
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Access Time-Max
4 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Manufacturer Part Number
Number of Words
524288 words
Part Package Code
BGA
Risk Rank
5.63
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Part Life Cycle Code
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
TBGA
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
SYNCBURST™
JESD-609代码
e1
端子表面处理
锡银铜
附加功能
流水线结构
技术
SRAM - Synchronous
电压 - 供电
3.135V ~ 3.6V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
电源电压-最小值(Vsup)
3.135 V
内存大小
8Mbit
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
133 MHz
访问时间
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512KX18
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
18
写入周期时间 - 字符、页面
-
记忆密度
9437184 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
缓存SRAM
组织的记忆
512K x 18
宽度
13 mm
长度
15 mm
MT58L512L18PF-7.5拓展信息
公司资质
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