注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
MT58V1MV18DT-7.5
品牌
Micron
utmel 编号
1616-MT58V1MV18DT-7.5
商品类别
无类别的
封装
100-LQFP
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Cache SRAM, 1MX18, 4ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
MT58V1MV18DT-7.5详情
技术参数
Micron MT58V1MV18DT-7.5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
表面贴装
包装/外壳
表面安装
YES
供应商器件包装
100-TQFP (14x20.1)
终端数量
100
Package
Bulk
Base Product Number
MT58V1MV18
厂商
Micron Technology Inc.
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Package Description
PLASTIC, TQFP-100
Package Style
FLATPACK, LOW PROFILE
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Access Time-Max
4 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Manufacturer Part Number
Number of Words
1048576 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
LQFP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.74
Part Package Code
QFP
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
SYNCBURST™
附加功能
流水线结构
技术
SRAM
电压 - 供电
3.135V ~ 3.465V
端子位置
QUAD
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PQFP-G100
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
2.625 V
温度等级
电源电压-最小值(Vsup)
2.375 V
内存大小
18Mbit
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
133 MHz
访问时间
4.2 ns
内存格式
内存接口
Parallel
组织结构
1MX18
座位高度-最大
1.6 mm
内存宽度
18
写入周期时间 - 字符、页面
-
记忆密度
18874368 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
缓存SRAM
组织的记忆
1M x 18
宽度
14 mm
长度
20 mm
MT58V1MV18DT-7.5拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)