NAND512R3A2DZA6详情
Micron NAND512R3A2DZA6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
63
Manufacturer Part Number
NAND512R3A2DZA6
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Part Package Code
BGA
Package Description
8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
Risk Rank
5.1
Access Time-Max
15000 ns
Number of Words
67108864 words
Number of Words Code
64000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
BGA
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
网格排列
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.1.A
类型
SLC NAND类型
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.51
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
Reach合规守则
compliant
引脚数量
63
JESD-30代码
R-PBGA-B63
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.65 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
64MX8
内存宽度
8
记忆密度
536870912 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
1.8 V
NAND512R3A2DZA6拓展信息
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron








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