NAND512W3A2DZA6详情
Micron NAND512W3A2DZA6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
63
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Style
网格排列
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
BGA
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Operating Temperature-Max
85 °C
Number of Words Code
64000000
Number of Words
67108864 words
Access Time-Max
12000 ns
Risk Rank
5.08
Package Description
BGA,
Part Package Code
BGA
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Part Life Cycle Code
Transferred
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
NAND512W3A2DZA6
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.1.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.51
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
Reach合规守则
compliant
引脚数量
63
JESD-30代码
R-PBGA-B63
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
64MX8
内存宽度
8
记忆密度
536870912 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
3 V
NAND512W3A2DZA6拓展信息
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron
Micron








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