BLS8G4D26BFSB
BLS8G4D26BFSB

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Micron Technology BLS8G4D26BFSB

  • 收藏
  • 对比

型号

BLS8G4D26BFSB

utmel 编号

1616-BLS8G4D26BFSB

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Ballistix Sport DRAM Module DDR4 SDRAM 8Gbyte 1.2V UDIMM Bulk

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
BLS8G4D26BFSB
BLS8G4D26BFSB Micron Technology Ballistix Sport DRAM Module DDR4 SDRAM 8Gbyte 1.2V UDIMM Bulk

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

BLS8G4D26BFSB详情

Micron Technology BLS8G4D26BFSB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    Chassis Mount, Clamp

  • Voltage, Rating

    25 V

  • RoHS

    Compliant

  • 容差

    30 %

  • 终端

    Screw

  • 最高工作温度

    85 °C

  • 最小工作温度

    -40 °C

  • 电容量

    33 mF

  • 螺纹距离

    22.1996 mm

  • ESR(等效串联电阻)

    14 mΩ

  • 极性

    Polar

  • 纹波电流

    16 A

  • 寿命(小时)

    20000 hours

  • 阻抗

    12 mΩ

  • 高度

    105 mm

  • 直径

    50 mm

  • 座位高度(最大)

    111.8108 mm

  • 辐射硬化

0个相似型号

BLS8G4D26BFSB拓展信息

M28W320FCB70N6E
M28W320FCB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
M29W800DB70N6E

Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA
JS28F512M29EWHA

Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E
M29W320EB70ZE6E

Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
M29W160EB70ZA6E

Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2P-7E:G
MT48LC16M16A2P-7E:G

Micron Technology Inc.

M29W160EB70N6E
M29W160EB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W160ET70N6E
M29W160ET70N6E

Micron Technology Inc.

PC28F00AM29EWHA
PC28F00AM29EWHA

Micron Technology Inc.

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z