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CT51264BF160B
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Micron Technology CT51264BF160B

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  • 对比

型号

CT51264BF160B

品牌

Micron Technology

utmel 编号

1616-CT51264BF160B

商品类别

存储器

封装

1812 (5032 metric)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

4GB DDR3 PC3-12800 SODIMM 1.35V 204-PIN

起订量

1最小包装量--

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CT51264BF160B Micron Technology 4GB DDR3 PC3-12800 SODIMM 1.35V 204-PIN

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CT51264BF160B详情

技术参数

Micron Technology CT51264BF160B重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 包装/外壳

    1812 (5032 metric)

  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    204

  • Case Code - in

    1812

  • Case Code - mm

    4532

  • Capacitance - nF

    0.12 nF

  • Class

    Class 1

  • Brand

    Knowles Syfer

  • Manufacturer

    Knowles

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    2

  • Package Description

    DIMM,

  • Package Style

    微电子组件

  • Number of Words Code

    4000000000

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Manufacturer Part Number

    CT51264BF160B

  • Number of Words

    4294967296 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.35 V

  • Package Code

    DIMM

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MICRON TECHNOLOGY INC

  • Risk Rank

    5.79

  • 容差

    10 %

  • 类型

    Safety Certified AC Capacitors

  • 电容量

    120 pF

  • 子类别

    Capacitors

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    无铅

  • 功能数量

    1

  • Reach合规守则

    unknown

  • 终端样式

    SMD/SMT

  • JESD-30代码

    R-XDMA-N204

  • 电介质

    C0G (NP0)

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 组织结构

    4GX8

  • 内存宽度

    8

  • 产品类别

    陶瓷电容器

  • 记忆密度

    34359738368 bit

  • 内存IC类型

    DDR内存模块

  • 产品

    通用型MLCC

  • 产品类别

    Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT

  • 宽度

    3.2 mm

  • 长度

    4.8 mm

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公司资质

ISO13485
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