Micron Technology CT8G3ERVLD8160B

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-273AA

供应商器件包装

SUPER-220™ (TO-273AA)

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

98A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

International Rectifier

Power Dissipation (Max)

650W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

HEXFET®

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

23mOhm @ 59A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6080 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

240 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

200 V

Vgs（最大值）

±30V

场效应管特性

-