EDW1032BABG-50-F
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Micron Technology EDW1032BABG-50-F

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型号

EDW1032BABG-50-F

utmel 编号

1616-EDW1032BABG-50-F

商品类别

无类别的

封装

28-CDIP (0.600, 15.24mm)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

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EDW1032BABG-50-F详情

Micron Technology EDW1032BABG-50-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    28-CDIP (0.600, 15.24mm)

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    28-CerDip

  • 终端数量

    170

  • Memory Types

    Volatile

  • Package Description

    FBGA, BGA170,14X17,32

  • Package Style

    GRID ARRAY, FINE PITCH

  • Number of Words Code

    32000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    BGA170,14X17,32

  • Operating Temperature-Max

    95 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    EDW1032BABG-50-F

  • Number of Words

    33554432 words

  • Package Code

    FBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Micron Technology Inc

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MICRON TECHNOLOGY INC

  • Risk Rank

    5.84

  • 操作温度

    -55°C ~ 125°C (TA)

  • 系列

    --

  • 包装

    Tube

  • 零件状态

    活跃

  • 子类别

    DRAMs

  • 技术

    SRAM - Asynchronous

  • 电压 - 供电

    4.5 V ~ 5.5 V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B170

  • 资历状况

    不合格

  • 电源

    1.35/1.5 V

  • 温度等级

    OTHER

  • 内存大小

    64Kb (8K x 8)

  • 访问时间

    45ns

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    32MX32

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    32

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    45ns

  • 记忆密度

    1073741824 bit

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 备用内存宽度

    16

  • 刷新周期

    8192

  • 顺序突发长度

    8

  • 交错突发长度

    8

0个相似型号

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