Micron Technology M29F800FB55N6F2
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M29F800FB55N6F2
1616-M29F800FB55N6F2
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NOR Flash Parallel 5V 8Mbit 1M/512K x 8bit/16bit 48-Pin TSOP T/R (Alt: M29F800FB55N6F2)
1最小包装量--
M29F800FB55N6F2详情
Micron Technology M29F800FB55N6F2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
材料
Aluminum
形状
Square, Fins
包装冷却
Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)
材料处理
蓝色阳极氧化
终端数量
48
Package Description
TSOP1,
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
55 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
M29F800FB55N6F2
Number of Words
524288 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
TSOP1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.24
Usage Level
Automotive grade
系列
pushPIN™
零件状态
活跃
类型
顶部安装
附加功能
底部启动区块
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G48
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
附着方法
推销
离底高度(鳍的高度)
0.394 (10.00mm)
强制空气流动时的热阻
18.08°C/W @ 100 LFM
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
512KX16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
记忆密度
8388608 bit
筛选水平
AEC-Q100
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
5 V
备用内存宽度
8
自然环境下的热阻
--
温度上升时的耗散功率
--
宽度
2.126 (54.00mm)
长度
2.126 (54.01mm)
直径
--
M29F800FB55N6F2拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
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Micron
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