Micron Technology MT16LSDT3264AY-13EG3
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MT16LSDT3264AY-13EG3
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DRAM Module SDRAM 256Mbyte 168UDIMM Tray
1最小包装量--
MT16LSDT3264AY-13EG3详情
Micron Technology MT16LSDT3264AY-13EG3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Socket
引脚数
168
ECCN (US)
EAR99
Module
DRAM模块
Module Density
256Mbyte
Number of Chip per Module
16
Chip Density (bit)
128M
Data Bus Width (bit)
64
Max. Access Time (ns)
5.4
Maximum Clock Rate (MHz)
133
Chip Configuration
16Mx8
Minimum Operating Supply Voltage (V)
3
Typical Operating Supply Voltage (V)
3.3
Maximum Operating Supply Voltage (V)
3.6
Operating Current (mA)
1336
Minimum Operating Temperature (°C)
0
Maximum Operating Temperature (°C)
65
Supplier Temperature Grade
Commercial
ECC Support
无
Number of Ranks
Dual
CAS Latency
2
Standard Package Name
DIM
Supplier Package
DIMM
Mounting
Socket
Package Height
35.05(Max)
Package Length
133.5(Max)
Package Width
3.99(Max)
PCB changed
168
Lead Shape
No Lead
Number of Elements
16
RoHS
Compliant
包装
Tray
零件状态
Obsolete
最高工作温度
65 °C
最小工作温度
0 °C
引脚数量
168
工作电源电压
3.3 V
最大电源电压
3.6 V
最小电源电压
3 V
访问时间
5.4 ns
数据总线宽度
64 b
组织结构
32Mx64
最高频率
133 MHz
模块类型
168UDIMM
RoHS状态
是,有豁免
辐射硬化
无
MT16LSDT3264AY-13EG3拓展信息
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