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Micron Technology MT29F2G01ABAGDWB-ITES:G

Name: MT29F2G01ABAGDWB-ITES:G
Brand: Micron Technology
SKU: 1616-MT29F2G01ABAGDWB-ITES:G
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MT29F2G01ABAGDWB-ITES:G

品牌

Micron Technology

utmel 编号

1616-MT29F2G01ABAGDWB-ITES:G

商品类别

存储器

封装

HC-49/US

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

M79A Nand Flash 2GX1 Nand Flash Plastic Ind Temp Pbf SOIC 3.3V Spi Mass Storage

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MT29F2G01ABAGDWB-ITES:G Micron Technology M79A Nand Flash 2GX1 Nand Flash Plastic Ind Temp Pbf SOIC 3.3V Spi Mass Storage

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MT29F2G01ABAGDWB-ITES:G详情

技术参数

Micron Technology MT29F2G01ABAGDWB-ITES:G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

HC-49/US
Maximum Operating Temperature

+ 70 C
Unit Weight

0.026455 oz
Minimum Operating Temperature

- 20 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

100
Mounting Styles

通孔
Manufacturer

Vishay
Brand

Vishay / Dale
RoHS

Details
系列

XT9SNL
包装

Bulk
容差

50 PPM
类型

低剖面水晶
子类别

Crystals
频率

20 MHz
频率稳定性

50 PPM
终端样式

Radial
引线间距

0.192 in
驱动电平

100 uW
产品类别

Crystals
等效串联电阻

40 Ohms
产品类别

Crystals
宽度

3.7 mm
高度

3.5 mm
长度

10.24 mm

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