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MT29F2G01ABAGDWB-ITES:G
MT29F2G01ABAGDWB-ITES:G

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Micron Technology MT29F2G01ABAGDWB-ITES:G

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型号

MT29F2G01ABAGDWB-ITES:G

品牌

Micron Technology

utmel 编号

1616-MT29F2G01ABAGDWB-ITES:G

商品类别

存储器

封装

HC-49/US

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

M79A Nand Flash 2GX1 Nand Flash Plastic Ind Temp Pbf SOIC 3.3V Spi Mass Storage

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MT29F2G01ABAGDWB-ITES:G
MT29F2G01ABAGDWB-ITES:G Micron Technology M79A Nand Flash 2GX1 Nand Flash Plastic Ind Temp Pbf SOIC 3.3V Spi Mass Storage

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MT29F2G01ABAGDWB-ITES:G详情

技术参数

Micron Technology MT29F2G01ABAGDWB-ITES:G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 包装/外壳

    HC-49/US

  • Maximum Operating Temperature

    + 70 C

  • Unit Weight

    0.026455 oz

  • Minimum Operating Temperature

    - 20 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    100

  • Mounting Styles

    通孔

  • Manufacturer

    Vishay

  • Brand

    Vishay / Dale

  • RoHS

    Details

  • 系列

    XT9SNL

  • 包装

    Bulk

  • 容差

    50 PPM

  • 类型

    低剖面水晶

  • 子类别

    Crystals

  • 频率

    20 MHz

  • 频率稳定性

    50 PPM

  • 终端样式

    Radial

  • 引线间距

    0.192 in

  • 驱动电平

    100 uW

  • 产品类别

    Crystals

  • 等效串联电阻

    40 Ohms

  • 产品类别

    Crystals

  • 宽度

    3.7 mm

  • 高度

    3.5 mm

  • 长度

    10.24 mm

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

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