Micron Technology MT29F32G08ABCDBJ4-6ES:D
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MT29F32G08ABCDBJ4-6ES:D
1616-MT29F32G08ABCDBJ4-6ES:D
存储器
DO-219AB
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SLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 32Gbit 4G x 8bit 132-Pin V-BGA
1最小包装量--
MT29F32G08ABCDBJ4-6ES:D详情
Micron Technology MT29F32G08ABCDBJ4-6ES:D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
DO-219AB
供应商器件包装
DO-219AB (SMF)
Impedance (Max) (Zzt)
300 Ohms
RoHS
Compliant
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
Automotive, AEC-Q101, BZD27B
包装
Tape & Reel (TR)
容差
--
零件状态
活跃
工作电源电压
3.3 V
界面
Parallel/Serial
内存大小
3.7 GB
反向泄漏电流@ Vr
1µA @ 110V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2V @ 200mA
功率 - 最大
800mW
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
150V
记忆密度
32
MT29F32G08ABCDBJ4-6ES:D拓展信息
Micron Technology Inc.
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