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MT29F32G08ABCDBJ4-6ES:D
MT29F32G08ABCDBJ4-6ES:D

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Micron Technology MT29F32G08ABCDBJ4-6ES:D

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型号

MT29F32G08ABCDBJ4-6ES:D

品牌

Micron Technology

utmel 编号

1616-MT29F32G08ABCDBJ4-6ES:D

商品类别

存储器

封装

DO-219AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 32Gbit 4G x 8bit 132-Pin V-BGA

起订量

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MT29F32G08ABCDBJ4-6ES:D
MT29F32G08ABCDBJ4-6ES:D Micron Technology SLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 32Gbit 4G x 8bit 132-Pin V-BGA

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MT29F32G08ABCDBJ4-6ES:D详情

技术参数

Micron Technology MT29F32G08ABCDBJ4-6ES:D重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    DO-219AB

  • 供应商器件包装

    DO-219AB (SMF)

  • Impedance (Max) (Zzt)

    300 Ohms

  • RoHS

    Compliant

  • 操作温度

    -65°C ~ 175°C

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101, BZD27B

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 容差

    --

  • 零件状态

    活跃

  • 工作电源电压

    3.3 V

  • 界面

    Parallel/Serial

  • 内存大小

    3.7 GB

  • 反向泄漏电流@ Vr

    1µA @ 110V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1.2V @ 200mA

  • 功率 - 最大

    800mW

  • 电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

    150V

  • 记忆密度

    32

0个相似型号

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

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封装：48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)

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