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MT41K256M16HA-125IT

MT41K256M16HA-125IT

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Micron Technology MT41K256M16HA-125IT

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对比

型号

MT41K256M16HA-125IT

品牌

Micron Technology

utmel 编号

1616-MT41K256M16HA-125IT

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MT41K256M16HA-125 IT:E M ICRON DRAM CHIP DDR3L SD RAM 4GBIT 256MX16 1.35V 9 6-PIN FBGA RoHS

起订量

1最小包装量--

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MT41K256M16HA-125IT

MT41K256M16HA-125IT Micron Technology MT41K256M16HA-125 IT:E M ICRON DRAM CHIP DDR3L SD RAM 4GBIT 256MX16 1.35V 9 6-PIN FBGA RoHS

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MT41K256M16HA-125IT详情

技术参数

Micron Technology MT41K256M16HA-125IT重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

96
Package Description

TFBGA,
Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code

256000000
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)

未说明
Rohs Code

有
Manufacturer Part Number

MT41K256M16HA-125IT
Number of Words

268435456 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.35 V
Package Code

TFBGA
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank

5.64
JESD-609代码

e1
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能

AUTO/SELF REFRESH
HTS代码

8542.32.00.36
技术

CMOS
端子位置

BOTTOM
终端形式

BALL
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
功能数量

1
端子间距

0.8 mm
Reach合规守则

compliant
JESD-30代码

R-PBGA-B96
电源电压-最大值(Vsup)

1.45 V
电源电压-最小值(Vsup)

1.283 V
端口的数量

1
操作模式

SYNCHRONOUS
组织结构

256MX16
座位高度-最大

1.2 mm
内存宽度

16
记忆密度

4294967296 bit
内存IC类型

DDR DRAM
访问模式

多库页面突发
自我刷新

YES
宽度

9 mm
长度

14 mm

0个相似型号

MT41K256M16HA-125IT拓展信息

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