Micron Technology MT46V64M8P-5B

表面安装

YES

引脚数

66

终端数量

66

Voltage Rating (DC)

2.6 V

RoHS

Compliant

Package Description

TSSOP, TSSOP66,.46

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

64000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSSOP66,.46

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

0.7 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MT46V64M8P-5B

Clock Frequency-Max (fCLK)

200 MHz

Number of Words

67108864 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.6 V

Package Code

TSSOP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Micron Technology Inc

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICRON TECHNOLOGY INC

Part Package Code

TSOP

Risk Rank

5.43

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

HTS代码

8542.32.00.28

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.65 mm

Reach合规守则

compliant

频率

200 MHz

引脚数量

66

JESD-30代码

R-PDSO-G66

资历状况

不合格

工作电源电压

2.5 V

电源电压-最大值(Vsup)

2.7 V

电源

2.5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.5 V

电压

2.6 V

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

访问时间

700 ps

组织结构

64MX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

8

密度

512 Mb

待机电流-最大值

0.005 A

记忆密度

536870912 bit

最高频率

400 MHz

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

2,4,8

交错突发长度

2,4,8

访问模式

四库页面突发

自我刷新

YES

宽度

10.16 mm

长度

22.22 mm

辐射硬化

无

无铅

无铅