MT53D1024M32D4BD-046 WT:D
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Micron Technology MT53D1024M32D4BD-046 WT:D

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型号

MT53D1024M32D4BD-046 WT:D

utmel 编号

1616-MT53D1024M32D4BD-046 WT:D

商品类别

存储器

封装

Axial

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

起订量

1最小包装量--

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MT53D1024M32D4BD-046 WT:D
MT53D1024M32D4BD-046 WT:D Micron Technology IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

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MT53D1024M32D4BD-046 WT:D详情

Micron Technology MT53D1024M32D4BD-046 WT:D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    Axial

  • 安装类型

    -

  • 供应商器件包装

    Axial

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    MT53D1024

  • 厂商

    Micron Technology Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    -65°C ~ 175°C

  • 系列

    Military, MIL-PRF-55182/01, RNC55

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 尺寸/尺寸

    0.094 Dia x 0.250 L (2.39mm x 6.35mm)

  • 容差

    ±1%

  • 零件状态

    活跃

  • 终止次数

    2

  • 温度系数

    ±100ppm/°C

  • 电阻

    249 kOhms

  • 组成

    Metal Film

  • 功率(瓦特)

    0.125W, 1/8W

  • 技术

    SDRAM - Mobile LPDDR4

  • 电压 - 供电

    1.1V

  • 失败率

    S (0.001%)

  • 内存大小

    32Gbit

  • 时钟频率

    2.133 GHz

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    -

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    -

  • 特征

    Military, Moisture Resistant, Weldable

  • 组织的记忆

    1G x 32

  • 座位高度(最大)

    --

0个相似型号

MT53D1024M32D4BD-046 WT:D拓展信息

M28W320FCB70N6E
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Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
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JS28F512M29EWHA
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M29W320EB70ZE6E
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Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
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MT48LC16M16A2P-7E:G
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M29W160EB70N6E
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Micron Technology Inc.

M29W160ET70N6E
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PC28F00AM29EWHA
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