Micron Technology MT53D384M32D2DS-053 WT:E TR
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MT53D384M32D2DS-053 WT:E TR
1616-MT53D384M32D2DS-053 WT:E TR
存储器
200-WFBGA
大陆
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IC Dram 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
1最小包装量--
MT53D384M32D2DS-053 WT:E TR详情
Micron Technology MT53D384M32D2DS-053 WT:E TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
200-WFBGA
供应商器件包装
200-WFBGA (10x14.5)
质量
45g
Dim
(W x H x D) 51 x 6 x 63 mm
Min. temperature
-20°C
Content
1pc(s)
Max. temperature
+60°C
Rechargeable
有
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
MT53D384
厂商
Micron Technology Inc.
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
操作温度
-30°C ~ 85°C (TC)
系列
-
类型
LP605060JU
技术
LiPo
电压 - 供电
1.1V
深度
63mm
电压
3.7V
内存大小
12Gbit
时钟频率
1.866 GHz
内存格式
DRAM
内存接口
-
大小
Prismatic
写入周期时间 - 字符、页面
-
电容量
1900mAh
组织的记忆
384M x 32
宽度
51mm
高度
6mm
MT53D384M32D2DS-053 WT:E TR拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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