MT53D384M32D2DS-053 WT:E TR
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Micron Technology MT53D384M32D2DS-053 WT:E TR

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型号

MT53D384M32D2DS-053 WT:E TR

utmel 编号

1616-MT53D384M32D2DS-053 WT:E TR

商品类别

存储器

封装

200-WFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC Dram 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA

起订量

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MT53D384M32D2DS-053 WT:E TR
MT53D384M32D2DS-053 WT:E TR Micron Technology IC Dram 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA

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MT53D384M32D2DS-053 WT:E TR详情

Micron Technology MT53D384M32D2DS-053 WT:E TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    200-WFBGA

  • 供应商器件包装

    200-WFBGA (10x14.5)

  • 质量

    45g

  • Dim

    (W x H x D) 51 x 6 x 63 mm

  • Min. temperature

    -20°C

  • Content

    1pc(s)

  • Max. temperature

    +60°C

  • Rechargeable

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Base Product Number

    MT53D384

  • 厂商

    Micron Technology Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    -30°C ~ 85°C (TC)

  • 系列

    -

  • 类型

    LP605060JU

  • 技术

    LiPo

  • 电压 - 供电

    1.1V

  • 深度

    63mm

  • 电压

    3.7V

  • 内存大小

    12Gbit

  • 时钟频率

    1.866 GHz

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    -

  • 大小

    Prismatic

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    -

  • 电容量

    1900mAh

  • 组织的记忆

    384M x 32

  • 宽度

    51mm

  • 高度

    6mm

0个相似型号

MT53D384M32D2DS-053 WT:E TR拓展信息

M28W320FCB70N6E
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Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
M29W800DB70N6E

Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA
JS28F512M29EWHA

Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E
M29W320EB70ZE6E

Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
M29W160EB70ZA6E

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MT48LC16M16A2P-7E:G
MT48LC16M16A2P-7E:G

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M29W160EB70N6E
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M29W160ET70N6E
M29W160ET70N6E

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PC28F00AM29EWHA
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