Micron Technology MT53E256M32D2FW-046 WT:B TR
- 收藏
- 对比
MT53E256M32D2FW-046 WT:B TR
1616-MT53E256M32D2FW-046 WT:B TR
存储器
200-TFBGA
大陆
立即发货

LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP
1最小包装量--
MT53E256M32D2FW-046 WT:B TR详情
Micron Technology MT53E256M32D2FW-046 WT:B TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
200-TFBGA
供应商器件包装
200-TFBGA (10x14.5)
Voltage, Rating
50 V
Case Code - in
0402
Case Code - mm
1005
Maximum Operating Temperature
+ 155 C
Unit Weight
0.000023 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
10000
Mounting Styles
PCB 安装
Part # Aliases
4-2176325-9 4-2176325-9
Manufacturer
TE Connectivity
Brand
TE Connectivity / Holsworthy
RoHS
Details
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
Micron Technology Inc.
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
系列
CRGP
包装
MouseReel
操作温度
-30°C ~ 85°C (TC)
容差
1 %
温度系数
100 PPM / C
电阻
100 kOhms
应用
商用级
子类别
Resistors
额定功率
125 mW (1/8 W)
技术
厚膜
电压 - 供电
1.06V ~ 1.17V
终端样式
SMD/SMT
内存大小
8Gbit
时钟频率
2.133 GHz
访问时间
3.5 ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
18ns
产品类别
厚膜电阻器
产品
通用型厚膜电阻器
特征
精密电阻器
产品类别
Thick Film Resistors - SMD
组织的记忆
256M x 32
宽度
0.5 mm
高度
0.35 mm
长度
1.1 mm
MT53E256M32D2FW-046 WT:B TR拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.







哦! 它是空的。