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Micron Technology MT53E256M32D2FW-046 WT:B TR

Name: MT53E256M32D2FW-046 WT:B TR
Brand: Micron Technology
SKU: 1616-MT53E256M32D2FW-046 WT:B TR
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MT53E256M32D2FW-046 WT:B TR

品牌

Micron Technology

utmel 编号

1616-MT53E256M32D2FW-046 WT:B TR

商品类别

存储器

封装

200-TFBGA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP

起订量

1最小包装量--

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MT53E256M32D2FW-046 WT:B TR Micron Technology LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP

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MT53E256M32D2FW-046 WT:B TR详情

技术参数

Micron Technology MT53E256M32D2FW-046 WT:B TR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

200-TFBGA
供应商器件包装

200-TFBGA (10x14.5)
Voltage, Rating

50 V
Case Code - in

0402
Case Code - mm

1005
Maximum Operating Temperature

+ 155 C
Unit Weight

0.000023 oz
Minimum Operating Temperature

- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10000
Mounting Styles

PCB 安装
Part # Aliases

4-2176325-9 4-2176325-9
Manufacturer

TE Connectivity
Brand

TE Connectivity / Holsworthy
RoHS

Details
Package

Tape & Reel (TR)
厂商

Micron Technology Inc.
Product Status

活跃
Memory Types

Volatile
系列

CRGP
包装

MouseReel
操作温度

-30°C ~ 85°C (TC)
容差

1 %
温度系数

100 PPM / C
电阻

100 kOhms
应用

商用级
子类别

Resistors
额定功率

125 mW (1/8 W)
技术

厚膜
电压 - 供电

1.06V ~ 1.17V
终端样式

SMD/SMT
内存大小

8Gbit
时钟频率

2.133 GHz
访问时间

3.5 ns
内存格式

DRAM
内存接口

Parallel
写入周期时间 - 字符、页面

18ns
产品类别

厚膜电阻器
产品

通用型厚膜电阻器
特征

精密电阻器
产品类别

Thick Film Resistors - SMD
组织的记忆

256M x 32
宽度

0.5 mm
高度

0.35 mm
长度

1.1 mm

0个相似型号

MT53E256M32D2FW-046 WT:B TR拓展信息

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