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MT53E512M64D2HJ-046 AAT:B
MT53E512M64D2HJ-046 AAT:B

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Micron Technology MT53E512M64D2HJ-046 AAT:B

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型号

MT53E512M64D2HJ-046 AAT:B

品牌

Micron Technology

utmel 编号

1616-MT53E512M64D2HJ-046 AAT:B

商品类别

存储器

封装

556-TFBGA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

LPDDR4 32G 512MX64 FBGA

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MT53E512M64D2HJ-046 AAT:B
MT53E512M64D2HJ-046 AAT:B Micron Technology LPDDR4 32G 512MX64 FBGA

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MT53E512M64D2HJ-046 AAT:B详情

技术参数

Micron Technology MT53E512M64D2HJ-046 AAT:B重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    556-TFBGA

  • 供应商器件包装

    556-WFBGA (12.4x12.4)

  • Package

    Box

  • 厂商

    Micron Technology Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Memory Types

    Volatile

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1360

  • Manufacturer

    美光技术

  • Brand

    Micron

  • RoHS

    Details

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • 操作温度

    -40°C ~ 105°C (TC)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q100

  • 包装

    Tray

  • 类型

    SDRAM - LPDDR4

  • 子类别

    Memory & Data Storage

  • 技术

    SDRAM - Mobile LPDDR4X

  • 电压 - 供电

    1.06V ~ 1.17V

  • 内存大小

    32Gbit

  • 时钟频率

    2.133 GHz

  • 访问时间

    3.5 ns

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    18ns

  • 产品类别

    DRAM

  • 产品类别

    DRAM

  • 组织的记忆

    512M x 64

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PC28F00AM29EWHA
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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

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封装：96-TFBGA

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型号：JS28F128P33TF70A

封装：56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)

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库存：5000

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