MT62F1G32D2DS-023 WT:B
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Micron Technology MT62F1G32D2DS-023 WT:B

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型号

MT62F1G32D2DS-023 WT:B

utmel 编号

1616-MT62F1G32D2DS-023 WT:B

商品类别

存储器

封装

Axial

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

LPDDR5 32G 1GX32 FBGA

起订量

--最小包装量--

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MT62F1G32D2DS-023 WT:B
MT62F1G32D2DS-023 WT:B Micron Technology LPDDR5 32G 1GX32 FBGA

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MT62F1G32D2DS-023 WT:B详情

Micron Technology MT62F1G32D2DS-023 WT:B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    Axial

  • 安装类型

    表面贴装

  • 供应商器件包装

    Axial

  • Package

    Box

  • 厂商

    Micron Technology Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Memory Types

    Volatile

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1050

  • Manufacturer

    美光技术

  • Brand

    Micron

  • RoHS

    Details

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C

  • 系列

    PTF

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 尺寸/尺寸

    0.145 Dia x 0.375 L (3.68mm x 9.53mm)

  • 容差

    ±0.1%

  • 零件状态

    活跃

  • 终止次数

    2

  • 温度系数

    ±5ppm/°C

  • 电阻

    5 kOhms

  • 组成

    Metal Film

  • 功率(瓦特)

    0.25W, 1/4W

  • 子类别

    Memory & Data Storage

  • 技术

    SDRAM - Mobile LPDDR5

  • 电压 - 供电

    1.05V

  • 失败率

    --

  • 内存大小

    32Gbit

  • 时钟频率

    4.266 GHz

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    1 G x 32

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    -

  • 产品类别

    DRAM

  • 特征

    Moisture Resistant

  • 产品类别

    DRAM

  • 组织的记忆

    1G x 32

  • 座位高度(最大)

    --

0个相似型号

MT62F1G32D2DS-023 WT:B拓展信息

M28W320FCB70N6E
M28W320FCB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
M29W800DB70N6E

Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA
JS28F512M29EWHA

Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E
M29W320EB70ZE6E

Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
M29W160EB70ZA6E

Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2P-7E:G
MT48LC16M16A2P-7E:G

Micron Technology Inc.

M29W160EB70N6E
M29W160EB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W160ET70N6E
M29W160ET70N6E

Micron Technology Inc.

PC28F00AM29EWHA
PC28F00AM29EWHA

Micron Technology Inc.

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