MT62F512M64D4EK-031 AUT:B TR
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Micron Technology MT62F512M64D4EK-031 AUT:B TR

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型号

MT62F512M64D4EK-031 AUT:B TR

utmel 编号

1616-MT62F512M64D4EK-031 AUT:B TR

商品类别

存储器

封装

4-SMD, No Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

LPDDR5 32G 512MX64 FBGA QDP

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MT62F512M64D4EK-031 AUT:B TR
MT62F512M64D4EK-031 AUT:B TR Micron Technology LPDDR5 32G 512MX64 FBGA QDP

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MT62F512M64D4EK-031 AUT:B TR详情

Micron Technology MT62F512M64D4EK-031 AUT:B TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    4-SMD, No Lead

  • 供应商器件包装

    441-TFBGA (14x14)

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Base Product Number

    SG-8101

  • 厂商

    EPSON

  • Product Status

    活跃

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    -40°C ~ 105°C

  • 系列

    SG-8101

  • 尺寸/尺寸

    0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)

  • 类型

    XO (Standard)

  • 技术

    SDRAM - Mobile LPDDR5

  • 电压 - 供电

    1.8V ~ 3.3V

  • 频率

    11 MHz

  • 频率稳定性

    ±20ppm

  • 输出量

    CMOS

  • 功能

    Standby (Power Down)

  • 基本谐振器

    Crystal

  • 最大电流源

    6.8mA (Typ)

  • 电流 - 电源(禁用)(最大值)

    1.1µA

  • 内存大小

    32Gbit

  • 时钟频率

    3.2 GHz

  • 扩频带宽

    -

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    -

  • 绝对牵引范围 (APR)

    -

  • 组织的记忆

    512M x 64

  • 座位高度(最大)

    0.055 (1.40mm)

  • 评级结果

    -

0个相似型号

MT62F512M64D4EK-031 AUT:B TR拓展信息

M28W320FCB70N6E
M28W320FCB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
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Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA
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Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E
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Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
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Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2P-7E:G
MT48LC16M16A2P-7E:G

Micron Technology Inc.

M29W160EB70N6E
M29W160EB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W160ET70N6E
M29W160ET70N6E

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PC28F00AM29EWHA
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