Micron Technology NAND02GW3B2AN6E

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

48

终端数量

48

RoHS

Compliant

Memory Types

NAND

Package Description

TSSOP,

Part Package Code

TSOP

Risk Rank

5.47

Ihs Manufacturer

MICRON TECHNOLOGY INC

Part Life Cycle Code

Obsolete

Manufacturer

Micron Technology Inc

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

TSSOP

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Number of Words

268435456 words

Manufacturer Part Number

NAND02GW3B2AN6E

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

85 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Min

-40 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Words Code

256000000

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.1.A

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

HTS代码

8542.32.00.51

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.5 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

48

JESD-30代码

R-PDSO-G48

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.7 V

界面

Parallel

最大电源电压

3.6 V

最小电源电压

2.7 V

电源电流

30 mA

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

25 µs

组织结构

256MX8

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

8

地址总线宽度

29 b

密度

2 Gb

记忆密度

2147483648 bit

并行/串行

PARALLEL

同步/异步

Asynchronous

字长

8 b

内存IC类型

FLASH

编程电压

3 V

长度

18.4 mm

宽度

12 mm