Micron Technology NAND256W3A0BZA6F

表面安装

YES

终端数量

55

Access Time-Max

35 ns

Number of Words Code

32000000

Operating Temperature-Min

-40 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Description

VFBGA-55

Package Equivalence Code

BGA55,8X12,32

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Reflow Temperature-Max (s)

30

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Rohs Code

有

Risk Rank

5.18

Part Package Code

BGA

Part Life Cycle Code

活跃

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

TFBGA

Operating Temperature-Max

85 °C

Number of Words

33554432 words

Manufacturer Part Number

NAND256W3A0BZA6F

Manufacturer

Micron Technology Inc

Ihs Manufacturer

MICRON TECHNOLOGY INC

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.1.A

类型

SLC NAND类型

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

HTS代码

8542.32.00.51

子类别

闪存

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

55

JESD-30代码

R-PBGA-B55

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

3/3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.7 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.02 mA

组织结构

32MX8

座位高度-最大

1.05 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.00005 A

记忆密度

268435456 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

FLASH

编程电压

3 V

数据轮询

NO

拨动位

NO

命令用户界面

YES

扇区/尺寸数

2K

行业规模

16K

页面尺寸

512 words

准备就绪/忙碌

YES

长度

10 mm

宽度

8 mm