EDF8164A3PK-JD-F-R
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Micron Technology Inc. EDF8164A3PK-JD-F-R

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型号

EDF8164A3PK-JD-F-R

utmel 编号

1616-EDF8164A3PK-JD-F-R

商品类别

存储器

封装

216-WFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

起订量

1最小包装量--

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EDF8164A3PK-JD-F-R
EDF8164A3PK-JD-F-R Micron Technology Inc. IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

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EDF8164A3PK-JD-F-R详情

Micron Technology Inc. EDF8164A3PK-JD-F-R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    9 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    216-WFBGA

  • 表面安装

    YES

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    -30°C~85°C TC

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    216

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOMINAL SUPPLY

  • 电压 - 供电

    1.14V~1.95V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    1.2V

  • 端子间距

    0.4mm

  • JESD-30代码

    S-PBGA-B216

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.3V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.14V

  • 内存大小

    8Gb 128M x 64

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 时钟频率

    933MHz

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    128MX64

  • 内存宽度

    64

  • 记忆密度

    8589934592 bit

  • 访问模式

    单库页面突发

  • 长度

    12mm

  • 座位高度(最大)

    0.7mm

  • 宽度

    12mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Micron Technology Inc. EDF8164A3PK-JD-F-R.

EDF8164A3PK-JD-F-R拓展信息

M28W320FCB70N6E
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Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
M29W800DB70N6E

Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA
JS28F512M29EWHA

Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E
M29W320EB70ZE6E

Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
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Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2P-7E:G
MT48LC16M16A2P-7E:G

Micron Technology Inc.

M29W160EB70N6E
M29W160EB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W160ET70N6E
M29W160ET70N6E

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PC28F00AM29EWHA
PC28F00AM29EWHA

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