EDJ1108BDSE-DJ-F
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Micron Technology Inc EDJ1108BDSE-DJ-F

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型号

EDJ1108BDSE-DJ-F

utmel 编号

1616-EDJ1108BDSE-DJ-F

商品类别

存储器

封装

--

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大陆

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ROHS

ECAD

简介

Description: DDR DRAM, 128MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78,

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EDJ1108BDSE-DJ-F
EDJ1108BDSE-DJ-F Micron Technology Inc Description: DDR DRAM, 128MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78,

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EDJ1108BDSE-DJ-F详情

Micron Technology Inc EDJ1108BDSE-DJ-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    78

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MICRON TECHNOLOGY INC

  • Package Description

    FBGA, BGA78,9X13,32

  • Access Time-Max

    0.255 ns

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    667 MHz

  • Number of Words

    134217728 words

  • Number of Words Code

    128000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    FBGA

  • Package Equivalence Code

    BGA78,9X13,32

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    GRID ARRAY, FINE PITCH

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.5 V

  • ECCN 代码

    EAR99

  • HTS代码

    8542.32.00.32

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B78

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电流-最大值

    0.31 mA

  • 组织结构

    128MX8

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    8

  • 记忆密度

    1073741824 bit

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    DDR3 DRAM

  • 刷新周期

    8192

  • 顺序突发长度

    4,8

  • 交错突发长度

    4,8

0个相似型号

技术文档: Micron Technology Inc EDJ1108BDSE-DJ-F.

EDJ1108BDSE-DJ-F拓展信息

M28W320FCB70N6E
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Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
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Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA
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Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E
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Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
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Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2P-7E:G
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Micron Technology Inc.

M29W160EB70N6E
M29W160EB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W160ET70N6E
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PC28F00AM29EWHA
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