M25PE80-VMW6G
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Micron Technology Inc. M25PE80-VMW6G

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型号

M25PE80-VMW6G

utmel 编号

1616-M25PE80-VMW6G

商品类别

存储器

封装

8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NOR Flash Serial-SPI 3.3V 8M-bit 1M x 8 8ns 8-Pin SOIC W Tube

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M25PE80-VMW6G
M25PE80-VMW6G Micron Technology Inc. NOR Flash Serial-SPI 3.3V 8M-bit 1M x 8 8ns 8-Pin SOIC W Tube

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M25PE80-VMW6G详情

Micron Technology Inc. M25PE80-VMW6G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    8

  • Memory Types

    Non-Volatile

  • 操作温度

    -40°C~85°C TA

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2014

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电压 - 供电

    2.7V~3.6V

  • 端子位置

    DUAL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    3V

  • 端子间距

    1.27mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 基本部件号

    M25PE80

  • 引脚数量

    8

  • 工作电源电压

    3.3V

  • 电压

    2.7V

  • 界面

    SPI, Serial

  • 内存大小

    8Mb 1M x 8

  • 电源电流

    8mA

  • 时钟频率

    75MHz

  • 访问时间

    8 ns

  • 内存格式

    FLASH

  • 内存接口

    SPI

  • 内存宽度

    8

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    15ms, 3ms

  • 地址总线宽度

    1b

  • 密度

    8 Mb

  • 待机电流-最大值

    0.00001A

  • 同步/异步

    Synchronous

  • 字长

    8b

  • 串行总线类型

    SPI

  • 耐力

    100000 Write/Erase Cycles

  • 写入周期时间 - 最大值

    23ms

  • 数据保持时间

    20

  • 写入保护

    HARDWARE/SOFTWARE

  • 长度

    5.62mm

  • 座位高度(最大)

    2.5mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Micron Technology Inc. M25PE80-VMW6G.

M25PE80-VMW6G拓展信息

M28W320FCB70N6E
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Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
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Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA
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Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E
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Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
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MT48LC16M16A2P-7E:G
MT48LC16M16A2P-7E:G

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M29W160EB70N6E
M29W160EB70N6E

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M29W160ET70N6E
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PC28F00AM29EWHA
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