Micron Technology Inc. M29DW256G70NF6E
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M29DW256G70NF6E
1616-M29DW256G70NF6E
存储器
56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
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IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
--最小包装量--
M29DW256G70NF6E详情
Micron Technology Inc. M29DW256G70NF6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
表面安装
YES
引脚数
56
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
56
端子表面处理
哑光锡
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.5mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
M29DW256
电压
2.7V
内存大小
256Mb 16M x 16
电源电流
10mA
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
16MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
70ns
地址总线宽度
24b
密度
256 Mb
访问时间(最大)
70 ns
同步/异步
Asynchronous
字长
16b
长度
18.4mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
M29DW256G70NF6E拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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