M29DW323DB70ZE6E
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Micron Technology Inc. M29DW323DB70ZE6E

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型号

M29DW323DB70ZE6E

utmel 编号

1616-M29DW323DB70ZE6E

商品类别

存储器

封装

48-TFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MICRON M29DW323DB70ZE6E MEMORY, FLASH, NOR, 32MB, B/B, 48TFBGA

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M29DW323DB70ZE6E
M29DW323DB70ZE6E Micron Technology Inc. MICRON M29DW323DB70ZE6E MEMORY, FLASH, NOR, 32MB, B/B, 48TFBGA

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M29DW323DB70ZE6E详情

Micron Technology Inc. M29DW323DB70ZE6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    48-TFBGA

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    48

  • Memory Types

    Non-Volatile

  • 操作温度

    -40°C~85°C TA

  • 包装

    Tray

  • 已出版

    2004

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    48

  • 终端

    SMD/SMT

  • ECCN 代码

    3A991.B.1.A

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 附加功能

    底部启动区块

  • HTS代码

    8542.32.00.51

  • 电压 - 供电

    2.7V~3.6V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    3V

  • 端子间距

    0.8mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 基本部件号

    M29DW323

  • 引脚数量

    48

  • 电源

    3/3.3V

  • 电压

    2.7V

  • 内存大小

    32Mb 4M x 8 2M x 16

  • 电源电流

    10mA

  • 内存格式

    FLASH

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    2MX16

  • 内存宽度

    16

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    70ns

  • 密度

    32 Mb

  • 待机电流-最大值

    0.0001A

  • 访问时间(最大)

    70 ns

  • 同步/异步

    Asynchronous

  • 备用内存宽度

    8

  • 数据轮询

    YES

  • 拨动位

    YES

  • 命令用户界面

    YES

  • 扇区/尺寸数

    863

  • 行业规模

    8K64K

  • 准备就绪/忙碌

    YES

  • 引导模块

    BOTTOM

  • 通用闪存接口

    YES

  • 长度

    8mm

  • 座位高度(最大)

    1.2mm

  • 宽度

    6mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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右边的3个型号有着和Micron Technology Inc. & M29DW323DB70ZE6E相似的参数规格。

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M29DW323DB70ZE6E拓展信息

M28W320FCB70N6E
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M29W800DB70N6E
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JS28F512M29EWHA
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M29W320EB70ZE6E
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M29W160EB70ZA6E
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M29W160ET70N6E
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PC28F00AM29EWHA
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