Micron Technology Inc. M29DW323DB70ZE6E
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M29DW323DB70ZE6E
1616-M29DW323DB70ZE6E
存储器
48-TFBGA
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MICRON M29DW323DB70ZE6E MEMORY, FLASH, NOR, 32MB, B/B, 48TFBGA
--最小包装量--
M29DW323DB70ZE6E详情
Micron Technology Inc. M29DW323DB70ZE6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
48
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2004
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
3A991.B.1.A
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
底部启动区块
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
M29DW323
引脚数量
48
电源
3/3.3V
电压
2.7V
内存大小
32Mb 4M x 8 2M x 16
电源电流
10mA
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
2MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
70ns
密度
32 Mb
待机电流-最大值
0.0001A
访问时间(最大)
70 ns
同步/异步
Asynchronous
备用内存宽度
8
数据轮询
YES
拨动位
YES
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
863
行业规模
8K64K
准备就绪/忙碌
YES
引导模块
BOTTOM
通用闪存接口
YES
长度
8mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
M29DW323DB70ZE6E拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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