Micron Technology Inc. M29F200FB55M3E2
- 收藏
- 对比
M29F200FB55M3E2
1616-M29F200FB55M3E2
存储器
44-SOIC (0.496, 12.60mm Width)
大陆
立即发货

NOR Flash Parallel 5V 2Mbit 256K/128K x 8bit/16bit 55ns 44-Pin SO W Tray
1最小包装量--
M29F200FB55M3E2详情
Micron Technology Inc. M29F200FB55M3E2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
44-SOIC (0.496, 12.60mm Width)
表面安装
YES
引脚数
44
Memory Types
Non-Volatile
Usage Level
Automotive grade
操作温度
-40°C~125°C TA
包装
Tray
已出版
2014
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
44
ECCN 代码
EAR99
附加功能
底部启动区块
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
4.5V~5.5V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
5V
端子间距
1.27mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
M29F200
引脚数量
44
工作电源电压
5V
电源
5V
电压
4.5V
内存大小
2Mb 256K x 8 128K x 16
电源电流
20mA
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
128KX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
55ns
密度
2 Mb
待机电流-最大值
0.00012A
筛选水平
AEC-Q100
访问时间(最大)
55 ns
同步/异步
Asynchronous
备用内存宽度
8
数据轮询
YES
拨动位
YES
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
1213
行业规模
16K8K32K64K
准备就绪/忙碌
YES
引导模块
BOTTOM
通用闪存接口
YES
长度
28.5mm
座位高度(最大)
3mm
宽度
12.6mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
M29F200FB55M3E2拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.







哦! 它是空的。