Micron Technology Inc. M29W512GH7AN6E
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M29W512GH7AN6E
1616-M29W512GH7AN6E
存储器
56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
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IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
1最小包装量--
M29W512GH7AN6E详情
Micron Technology Inc. M29W512GH7AN6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
表面安装
YES
Memory Types
Non-Volatile
Usage Level
Automotive grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Bulk
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
56
端子表面处理
哑光锡
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.5mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G56
工作电源电压
3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.7V
内存大小
512Mb 64M x 8 32M x 16
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
32MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
70ns
地址总线宽度
24b
密度
512 Mb
筛选水平
AEC-Q100
访问时间(最大)
80 ns
编程电压
2.7V
备用内存宽度
8
长度
18.4mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
M29W512GH7AN6E拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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